PATENT
| 번호 | 발명자 | 내용 |
|---|---|---|
| 88 | 김현재, 박정우, 탁영준, 정태수, 이희수, 김원기, 정주성 | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 (출원:10-2016-0012152), 2016-02-01 |
| 87 | 김현재, 김영규, 김나은 | 산화물 반도체 조성물 및 이를 이용하는 산화물 반도체 박막/박막 트랜지스터 제조 방법 (출원:10-2015-0138368), 2015-10-01 |
| 86 | 김현재, 탁영준, 김시준, 윤석현 | 산화물 박막 리페어 방법 및 산화물 박막 소자 (출원:10-2015-0052497), 2015-04-14 |
| 85 | 김현재, 정태수, 탁영준, 윤두현, 이희수, 김원기, 박정우 | 진동 에너지를 이용한 박막 활성화 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 기판 처리 장치 (출원:10-2015-0030152), 2015-03-04 |
| 84 | 김현재, 이희수, 윤두현, 정태수, 탁영준, 김원기, 박정우 | 전기 에너지를 이용한 박막 활성화 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 기판 처리 장치 (출원:10-2015-0030151), 2015-03-04 |
| 83 | 김현재, 김영규, 박지훈, 윤석현, 홍성환 | 산화물 반도체 소자 및 이의 제조 방법 (출원:10-2014-0168445), 2014-11-28 |
| 82 | 김현재, 김도경, 이충희, 정웅희, 정태훈 | 반도체 결정화 장치, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 결정화 방법 (출원:10-2014-0131458), 2014-09-30 |
| 81 | 김현재, 마르디아, 정주혜 | 활성화된 과산화물을 이용한 산화물 박막 형성 방법 및 박막 트랜지스터 제조 방법 (출원:10-2014-0126738), 2014-09-23 |
| 80 | 김현재, 박성표, 윤두현, 탁영준, 이희수 | 적층 구조를 갖는 저항 스위칭 메모리 및 그 제조 방법 (출원:10-2014-0120810), 2014-09-12 |
| 79 | 김현재, 탁영준, 윤두현, 박성표, 이희수 | 산화물 박막 후처리 방법, 및 그를 이용한 반도체 소자 제조 방법 (출원:10-2014-0071592), 2014-06-12 |
