PATENT
번호 | 발명자 | 내용 |
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68 | 김현재, 김정현, 임유승 | 채널 도핑과 패시베이션을 동시에 수행하는 산화물 박막 형성 방법 및 산화물 박막 트랜지스터 제조 방법 (출원:10-2013-0078510), 2013-07-04 |
67 | 김현재, 윤두현, 윤석현, 탁영준, 최의현 | 용액 공정을 이용한 다층 패시베이션막 형성 방법 (출원:10-2013-0072499), 2013-06-24 |
66 | 김현재, 임유승, 윤석현 | 산화물 박막 조성물, 산화물 박막 형성 방법 및 산화물 반도체 제조 방법 (출원:10-2013-0036298), 2013-04-03 |
65 | 김현재, 허승진, 윤석현, 오상훈 | 기상을 이용한 가압 표면 처리를 통한 콜로이드 양자점 박막 및 이를 이용한 양자점 태양전지의 제조 방법 (출원:10-2012-0144631), 2012-12-12 |
64 | 김현재, 임현수, 임유승, 김동림 | 산화물반도체 조성물 및 그 제조방법, 산화물반도체 박막 형성 방법, 전자소자 제조 방법 및 그에 따라 제조된 전자 부품 (출원:10-2012-0073907), 2012-07-06 |
63 | 김현재, 양정석, 오상훈 | 유기용매인 아세톤을 첨가한 고전도성 유기박막 및 이를 이용한 유기 태양전지의 제조 방법(출원: 10-2012-0054539), 2012-05-23 |
62 | 김현재, 김철호, 김득종, 정웅희, 김동림, 임유승 |
산화물 반도체 장치 및 그 형성 방법(출원: 10-2012-0050864), 2012-05-14
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61 | 김현재, 오상훈, 정주혜 |
나노 산화구리 물질을 첨가한 유기 박막 및 이를 이용한 전자 소자 (출원:10-2012-0048025), 2012-05-07
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60 | 김현재, 임유승, 정웅희 |
액상기반 산화물 박막의 저온 결정화 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제작(출원: 10-2012-0027875), 2012-03-19
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59 | 김현재, 윤두현, 김시준, 정주혜 |
저항 메모리 소자 및 그 제조방법(출원: 10-2012-0014936), 2012-02-14
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